ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی بزرگ با استفاده از نوارهای نانوساختار آلیاژی پایه آهن
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- author حمید افتخاری
- adviser مجید محسنی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1386
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
بهینه سازی امپدانس مغناطیسی نوارهای مغناطیسی جهت استفاده در ساخت حسگر امپدانس با المان حسگری نانوساختار
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...
15 صفحه اولطراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال
در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعهی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصهیابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطرهای مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری ...
full textطراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای اثر مغناطوامپدانس غول آسا با استفاده از میکروسیم آلیاژی پایه کبالت co68.15fe4.35si12.5b15
اخیراً توسعه حسگرهای مغناطیسی پرکاربرد از زمان کشف اثر معروف به مغناطوامپدانس غول آسا در مواد فرومغناطیس نانوبلوری و بی شکل، اهمیت زیادی پیدا کرده است. تغییرات زیاد امپدانس متناوب (ac) مواد مغناطیسی نرم، هنگامی که این مواد تحت تاثیر میدان مغناطیسی مستقیم (dc)باشند را اثر مغناطوامپدانس غول آسا می نامند. این پدیده صرفاً کلاسیکی است و به جز اثرات کوانتومی در مغناطیس، هیچ اثر کوانتومی دیگری دیده نمی...
15 صفحه اولامپدانس مغناطیسی آلیاژهای آمورف نانوساختار مغناطیسی نرم پایه آهن در گستره 1 مگاهرتز تا 4 گیگاهرتز
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آمورف کبالت پایه
بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023